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DMT4011LFG	文件：455.36 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：455.36 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT4011LFG-13	文件：455.36 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：455.36 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT4011LFG-7	文件：455.36 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：455.36 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT4011LFG	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low RDS(ON) – Ensures On State Losses Are Minimized\nExcellent Qgd x RDS(ON) Product (FOM)\nAdvanced Technology for DC-DC Converters\nSmall Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher Density End Products\n100% UIS (Avalanche) Rated;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
40 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
10.8 A
PD @ TA = +25°C：
2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
11.5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
17.8 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
7 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
15.1 nC
Packages：
PowerDI3333-8

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更多DMT4011LFG供应商更新时间2026-4-1 9:03:00

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