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DMT4008LFV	文件：572.62 Kbytes Page：7 Pages	40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, which makes it ideal for high-efficiency power management applications.  Power Management Functions  DC-DC Converters Features 文件：572.62 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT4008LFV-13	文件：572.62 Kbytes Page：7 Pages	丝印：408；Package：PowerDI3333-8；40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, which makes it ideal for high-efficiency power management applications.  Power Management Functions  DC-DC Converters Features 文件：572.62 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT4008LFV-7	文件：572.62 Kbytes Page：7 Pages	丝印：408；Package：PowerDI3333-8；40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, which makes it ideal for high-efficiency power management applications.  Power Management Functions  DC-DC Converters Features 文件：572.62 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT4008LFV	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
40 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
12.1 A
PD @ TA = +25°C：
1.9 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
7.9 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
12 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
8.3 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
17.1 nC
Packages：
PowerDI3333-8 (Type UX)

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