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DMT4004LPS	文件：525.44 Kbytes Page：6 Pages	40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：525.44 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT4004LPS-13	文件：525.44 Kbytes Page：6 Pages	40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：525.44 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT4004LPS	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. 100% Unclamped Inductive Switching – ensures more reliable and robust end application\nLow RDS(ON) – Minimizes Power Losses\nLow QG – Minimizes Switching Losses;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMTH4004LPS	文件：559.33 Kbytes Page：6 Pages	40V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：559.33 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH4004SCTB	文件：701.17 Kbytes Page：6 Pages	40V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：701.17 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH4004SCTB	文件：298.64 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：298.64 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
40 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
2.6 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
2.5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
4 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
35 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
83 nC
Packages：
PowerDI5060-8

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