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DMT4002LPS	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET; 100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application\nThermally Efficient Package – Cooler Running Applications\nHigh Conversion Efficiency\nLow RDS(ON) – Minimizes On State Losses\n<1.1mm Package Profile – Ideal for Thin Applications; This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	DiodesDiodes Incorporated 美台半导体	Diodes
DMT4002LPS	文件：405.52 Kbytes Page：7 Pages	40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMT4002LPS-13	文件：405.52 Kbytes Page：7 Pages	40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMTH4002SCTB	文件：610.79 Kbytes Page：7 Pages	40V175°CN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))yetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. EngineManagementSystems BodyControlElectronics DC-DCConverters Featur	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
EG4002	文件：793.86 Kbytes Page：13 Pages	Infraredthermo-electrodynamIcchip	EGMICROJingjing Microelectronics Co., Ltd 屹晶微电子屹晶微电子有限公司	EGMICRO
EPG4002S	文件：21.61 Kbytes Page：1 Pages	1000Base-TModule	PCA PCA ELECTRONICS INC.	PCA

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
40 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
2.3 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
1.8 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
3.1 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
55.2 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
116.1 nC
Packages：
PowerDI5060-8

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