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DMT36M1LPS	文件：436.79 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features and Benefits  Low RDS(ON) – Minimizes On-State Losses  Excellent Qgd x RDS(ON) Product (FOM)  Advanced Technology for DC-DC Converters  Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher Density End Products  100 Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliabilit 文件：436.79 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT36M1LPS-13	文件：436.79 Kbytes Page：7 Pages	丝印：T36M1LS；Package：PowerDI5060-8；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features and Benefits  Low RDS(ON) – Minimizes On-State Losses  Excellent Qgd x RDS(ON) Product (FOM)  Advanced Technology for DC-DC Converters  Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher Density End Products  100 Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliabilit 文件：436.79 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT36M1LPS	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low RDS(ON) – Minimizes On-State Losses \nExcellent QGD x RDS(ON) Product (FOM)\nAdvanced Technology for DC-DC Converters \nSmall Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher Density End Products\n100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliability;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMT4002LPS-13	文件：0 bytes Page：0 Pages	PowerDI506	DIODES/美台上传：深圳市科芯源微电子有限公司	DIODES/美台
DMT6004LPS-13	文件：0 bytes Page：0 Pages	PowerDI5060-8	DIODES/美台上传：深圳市纳睿斯电子科技有限公司	DIODES/美台

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
16 A
PD @ TA = +25°C：
2.6 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
6 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
9.8 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
16.7 nC
Packages：
PowerDI5060-8

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更多DMT36M1LPS供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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