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DMT35M4LFDF	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.\n\n •0.6mm Profile – Ideal for Low-Profile Applications\n•Low Gate Threshold Voltage\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)\n•For automotive applications requiring specific change control (i.e. parts qualified to AEC-Q101, PPAP capable, andmanufactured in IATF 16949 certified facilitie;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMT4002LPS-13	文件：0 bytes Page：0 Pages	PowerDI506	DIODES/美台上传：深圳市科芯源微电子有限公司	DIODES/美台
DMT6004LPS-13	文件：0 bytes Page：0 Pages	PowerDI5060-8	DIODES/美台上传：深圳市纳睿斯电子科技有限公司	DIODES/美台
DMT6009LPS-13	文件：0 bytes Page：0 Pages	PowerDI5060-8	DIODES/美台上传：深圳市纳睿斯电子科技有限公司	DIODES/美台
DMTH4004SCTB-13	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-263AB	DIODES/美台上传：深圳市纳睿斯电子科技有限公司	DIODES/美台

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No Y/N
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
IDS @ TC = +25°C：
13 A
PD @ TA = +25°C：
1.7 W
PD @ TC = +25°C：
18.7 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
6.9 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
10.5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.5 V
CISS Typ：
1009 pF
CISS Condition [@VDS]：
15 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
8.1 nC
QG Typ @ VGS = 5V (nC)：
N/A
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
14.9 nC
Packages：
U-DFN2020-6

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更多DMT35M4LFDF供应商更新时间2025-12-18 14:01:00

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