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DMT3011LDT	文件：858.19 Kbytes Page：11 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：858.19 Kbytes 页数：11 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT3011LDT-7	文件：858.19 Kbytes Page：11 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：858.19 Kbytes 页数：11 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT3011LDT	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. 0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications\nPCB Footprint of 4mm2\nLow Gate Threshold Voltage\nTotally Lead-Free & Fully RoHS Compliant\nHalogen and Antimony Free. “Green” Device;	Diodes 美台半导体	Diodes
DS3011	文件：449.26 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Thermocouple 文件：449.26 Kbytes 页数：6 Pages	TTELEC	TTELEC
EL3011	文件：312.67 Kbytes Page：12 Pages	6 PIN DIP RANDOM-PHASE TRIAC DRIVER PHOTOCOUPLER Description The EL301X(P5), EL302X(P5) and EL305X(P5) series of devices each consist of a GaAs infrared emitting diode optically coupled to a monolithic silicon random phase photo Triac. They are designed for interfacing between electronic controls and power triacs to control resistive and induc 文件：312.67 Kbytes 页数：12 Pages	Everlight 台湾亿光	Everlight
EL3011	文件：316.03 Kbytes Page：12 Pages	6 PIN DIP RANDOM-PHASE TRIAC DRIVER 文件：316.03 Kbytes 页数：12 Pages	Everlight 台湾亿光	Everlight

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
20
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
32
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
6
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
13.2
Packages：
V-DFN3030-8 (Type K)

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