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DMT3009UFVW	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. •Ultra Low Gate Threshold Voltage\n•Low Input Capacitance\n•Wettable Flank for Improved Optical Inspection\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)\n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3);	Diodes 美台半导体	Diodes
EMSB3009	文件：462.3 Kbytes Page：8 Pages	THINKISEMIS FAST RECOVERY TYPE MINIATURE SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIERS 文件：462.3 Kbytes 页数：8 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
EPC3009	文件：44.06 Kbytes Page：1 Pages	Coupled Inductor 文件：44.06 Kbytes 页数：1 Pages	PCA	PCA
EPZ3009GE	文件：37.97 Kbytes Page：1 Pages	Power Choke 文件：37.97 Kbytes 页数：1 Pages	PCA	PCA

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes Y/N
VDS：
30 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
10.6 A
IDS @ TC = +25°C：
30 A
PD @ TA = +25°C：
2.3 W
PD @ TC = +25°C：
35.7 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
11 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
13 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1.8 V
CISS Typ：
893 pF
CISS Condition [@VDS]：
15 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
13 nC
QG Typ @ VGS = 5V (nC)：
N/A
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
11 nC
Packages：
PowerDI3333-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市凌旭科技有限公司	DMT3009UFVW-7	DIODESINC	21+	NA	2000	只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货!	询价
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更多DMT3009UFVW供应商更新时间2025-12-17 17:57:00

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