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DMT3006LFV	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low RDS(ON) – Ensures On-State Losses are Minimized\nSmall Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher Density End Products\nOccupies Just 33% of the Board Area Occupied by SO-8 Enabling Smaller End Product;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMT3006LFVQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes
DMT3006LPS	文件：400.04 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：400.04 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DTP3006	文件：240.69 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：240.69 Kbytes 页数：7 Pages	DINTEK 尚鼎芯	DINTEK
DTP3006	文件：1.17654 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET Halogen-free 文件：1.17654 Mbytes 页数：7 Pages	DINTEK 尚鼎芯	DINTEK

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
7 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
11 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
16.7 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
8.4 nC
Packages：
PowerDI3333-8 (Type UX)

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