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DMT3006LFDF	文件：577.43 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：577.43 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT3006LFDF-13	文件：577.43 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：577.43 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT3006LFDF-7	文件：577.43 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：577.43 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT3006LFDF	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. 0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications\nPCB Footprint of 4mm2\nLow Gate Threshold Voltage\nFast Switching Speed\nTotally Lead-Free & Fully RoHS Compliant\nHalogen and Antimony Free. “Green” Device\nQualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
14.1 A
PD @ TA = +25°C：
2.1 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
7 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
10 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
10.6 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
22.6 nC
Packages：
U-DFN2020-6 (Type F)

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