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DMT3004LFG	文件：508.34 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：508.34 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT3004LFG-13	文件：508.34 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：508.34 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT3004LFG-7	文件：508.34 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：508.34 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT3004LFG	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low RDS(ON) – Ensures on State Losses Are Minimized\nExcellent QGD x RDS(ON) Product (FOM)\nAdvanced Technology for DC-DC Converters\nSmall Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher Density End Products\nOccupies Just 33% of The Board Area Occupied by SO-8 Enabling Smaller End Produ;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
10.4 A
PD @ TA = +25°C：
2.1 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
4.5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
7 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
20 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
44 nC
Packages：
PowerDI3333-8

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更多DMT3004LFG供应商更新时间2026-3-18 18:31:00

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