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DMT3003LFG	文件：509.97 Kbytes Page：7 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：509.97 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT3003LFGQ	文件：438.04 Kbytes Page：7 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in: • Backlighting • Power Management Functions • DC-DC Converters Features and Benefits • Low RDS(ON) 文件：438.04 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT3003LFGQ-13	文件：438.04 Kbytes Page：7 Pages	丝印：SG2；Package：PowerDI3333-8；30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in: • Backlighting • Power Management Functions • DC-DC Converters Features and Benefits • Low RDS(ON) 文件：438.04 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT3003LFGQ-7	文件：438.04 Kbytes Page：7 Pages	丝印：SG2；Package：PowerDI3333-8；30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in: • Backlighting • Power Management Functions • DC-DC Converters Features and Benefits • Low RDS(ON) 文件：438.04 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT3003LFG-13	文件：509.97 Kbytes Page：7 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：509.97 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT3003LFG-7	文件：509.97 Kbytes Page：7 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：509.97 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT3003LFG	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low RDS(ON) – Ensures On-State Losses are Minimized\nExcellent QGD × RDS(ON) Product (FOM)\nAdvanced Technology for DC-DC Converts\nSmall Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher Density End Products\nOccupies Just 33% of the Board Area Occupied by SO-8 Enabling Smaller End Product;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMT3003LFGQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements ofautomotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by aPPAP.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
22 A
PD @ TA = +25°C：
2.4 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
3.2 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
5.5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
44 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
20 nC
Packages：
PowerDI3333-8

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