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DMT2004UFDF	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. 0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications\nPCB Footprint of 4mm2\nLow Gate Threshold Voltage\nFast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMT2004UFDF	文件：575.78 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：575.78 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT2004UFG	文件：383.18 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：383.18 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT2004UPS	文件：381.73 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：381.73 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DPO2004B	文件：1.03188 Mbytes Page：18 Pages	Mixed Signal Oscilloscopes 文件：1.03188 Mbytes 页数：18 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
24 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
14.1 A
PD @ TA = +25°C：
1.8 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
6 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
7.2 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
12.5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1.45 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
29.6 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
53.7 nC
Packages：
U-DFN2020-6 (Type F)

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