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DMT12H065LFDF	文件：300 bytes Page：1 Pages	115V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.\n\n •0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications\n•Low On-Resistance\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)\n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)\n;	Diodes 美台半导体	Diodes
STPSC12H065	文件：146.07 Kbytes Page：8 Pages	650 V power Schottky silicon carbide diode 文件：146.07 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC12H065C	文件：170.58 Kbytes Page：8 Pages	650 V power Schottky silicon carbide diode 文件：170.58 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC12H065CT	文件：170.58 Kbytes Page：8 Pages	650 V power Schottky silicon carbide diode 文件：170.58 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
115 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
4.3 A
PD @ TA = +25°C：
1.8 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
65 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
70 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.2 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
5.5 nC
Packages：
U-DFN2020-6

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