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DMT10H025LK3	文件：488.79 Kbytes Page：7 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description This new generation MOSFET features low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications. Applications  Power Management Functions  DC-DC Converters  Backlighting Features  100 Unclamped Inductive Switching – Ensures M 文件：488.79 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT10H025LK3	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET features low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications. •100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application \n•Low QG – Minimizes Switching Losses;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMT10H025LK3-13	文件：488.79 Kbytes Page：7 Pages	丝印：T1H025L；Package：TO252；100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description This new generation MOSFET features low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications. Applications  Power Management Functions  DC-DC Converters  Backlighting Features  100 Unclamped Inductive Switching – Ensures M 文件：488.79 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT4002LPS-13	文件：0 bytes Page：0 Pages	PowerDI506	DIODES/美台上传：深圳市科芯源微电子有限公司	DIODES/美台
DMT6004LPS-13	文件：0 bytes Page：0 Pages	PowerDI5060-8	DIODES/美台上传：深圳市纳睿斯电子科技有限公司	DIODES/美台

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
100 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
2.6 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
22 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
43.7 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
21 nC
Packages：
TO252 (DPAK)

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