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DMT10H015LK3

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:533.76 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DMT10H015LK3

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

This new generation MOSFET features low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications. 100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application\nLow RDS(ON) – Minimises Power Losses\nLow QG – Minimises Switching Losses;

Diodes

美台半导体

DMT10H015LK3-13

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMTH10H015LK3

Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

文件:394.2 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DMTH10H015LK3

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:351.74 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    On Request*

  • Polarity:

    N

  • ESD Diodes:

    No

  • VDS:

    100 V

  • VGS:

    20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    N/A A

  • PD @ TA = +25°C:

    2.9 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    14 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max:

    3.5 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    33.3 nC

  • Packages:

    TO252 (DPAK)

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更多DMT10H015LK3供应商 更新时间2026-1-30 9:05:00