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DMT10H015LFG	文件：535.24 Kbytes Page：7 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：535.24 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT10H015LFG	文件：530.84 Kbytes Page：7 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：530.84 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT10H015LFG_17	文件：535.24 Kbytes Page：7 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：535.24 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT10H015LFG-13	文件：535.24 Kbytes Page：7 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：535.24 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT10H015LFG-13	文件：530.84 Kbytes Page：7 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：530.84 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT10H015LFG-7	文件：535.24 Kbytes Page：7 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：535.24 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT10H015LFG-7	文件：530.84 Kbytes Page：7 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：530.84 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT10H015LFG	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low On-Resistance\nFast Switching Speed\nLow Threshold\nLow Gate Drive\nLow Input Capacitance;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
100 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
10 A
PD @ TA = +25°C：
2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
13.5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
33.3 nC
Packages：
PowerDI3333-8

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更多DMT10H015LFG供应商更新时间2026-1-25 9:02:00

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