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DMT10H015LCG	文件：489.8 Kbytes Page：7 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：489.8 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT10H015LCG-13	文件：489.8 Kbytes Page：7 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：489.8 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT10H015LCG-7	文件：489.8 Kbytes Page：7 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：489.8 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT10H015LCG	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation N-Channel Enhancement Mode MOSFET is designed to minimize RDS(ON) and yet maintain superior switching performance. This device is ideal for use in notebook battery power management and loadswitch. 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production\nHigh Conversion Efficiency\nLow RDS(ON) – Minimizes On-State Losses\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
100 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
9.4 A
PD @ TA = +25°C：
2.1 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
15 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
26 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
33.3 nC
Packages：
V-DFN3333-8

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