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DMT10H009LK3	文件：301.34 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 90A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 9mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor Drive, DC-DC Converter, Power Switch and Solenoid Drive. 文件：301.34 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
DMT10H009LK3	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET features low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications. •100% Unclamped Inductive Switching (UIS) Test in Production – Ensures More Reliable and Robust End Application\n•Low Qg – Minimizes Switching Losses\n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)\n•For automotive applications requiring specific change control (i.e. parts qualified to AEC-;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMT10H015LPS-13	文件：0 bytes Page：0 Pages	PowerDI5060-8	DIODES/美台上传：深圳市纳睿斯电子科技有限公司	DIODES/美台
DMT4002LPS-13	文件：0 bytes Page：0 Pages	PowerDI506	DIODES/美台上传：深圳市科芯源微电子有限公司	DIODES/美台
DMT6004LPS-13	文件：0 bytes Page：0 Pages	PowerDI5060-8	DIODES/美台上传：深圳市纳睿斯电子科技有限公司	DIODES/美台

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No Y/N
VDS：
100 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
IDS @ TC = +25°C：
90 A
PD @ TA = +25°C：
3.0 W
PD @ TC = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
9 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
13 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.5 V
CISS Typ：
2309 pF
CISS Condition [@VDS]：
50 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
20 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A
Packages：
TO252 (DPAK)

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