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DMS3016SFG	文件：218.17 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features and Benefits • DIOFET Utilizes a Unique Patented Process to Monolithicall 文件：218.17 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMS3016SFG-13	文件：218.17 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features and Benefits • DIOFET Utilizes a Unique Patented Process to Monolithicall 文件：218.17 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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DMS3016SFG_15	文件：218.17 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE POWERDI짰 文件：218.17 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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DMS3016SFG-7	文件：218.17 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE POWERDI짰 文件：218.17 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMS3016SFG	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE This new generation 30V N channel enhancement mode MOSFET has been designed to minimize the onstate resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management\napplications.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

AutomotiveCompliantPPAP：
OnRequest*
Polarity：
N+SKY
ESDDiodes：
No
VDS：
30V
VGS：
12±V
IDS@TA=+25°C：
10.2A
PD@TA=+25°C：
2.08W
RDS(ON)Max@VGS(10V)：
13mΩ
RDS(ON)Max@VGS(4.5V)：
16mΩ
RDS(ON)Max@VGS(2.5V)：
N/AmΩ
RDS(ON)Max@VGS(1.8V)：
N/AmΩ
VGS(th)Max：
2.2V
QGTyp@VGS=4.5V(nC)：
19.5nC
QGTyp@VGS=10V(nC)：
44.6nC

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