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DMS3014SFG	文件：171.55 Kbytes Page：8 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：171.55 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMS3014SFG_15	文件：171.55 Kbytes Page：8 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI짰 文件：171.55 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMS3014SFG-13	文件：171.55 Kbytes Page：8 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI짰 文件：171.55 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMS3014SFG-13	文件：171.55 Kbytes Page：8 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：171.55 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMS3014SFG-7	文件：171.55 Kbytes Page：8 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：171.55 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMS3014SFG-7	文件：171.55 Kbytes Page：8 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI짰 文件：171.55 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMS3014SFG	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance\n(RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it\nideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes
DMS3014SFG-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH POWERDI3333-8	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

AutomotiveCompliantPPAP：
OnRequest*
Polarity：
N+SKY
ESDDiodes：
No
VDS：
30V
VGS：
12±V
IDS@TA=+25°C：
9.5A
PD@TA=+25°C：
2.1W
RDS(ON)Max@VGS(10V)：
13mΩ
RDS(ON)Max@VGS(4.5V)：
14mΩ
RDS(ON)Max@VGS(2.5V)：
N/AmΩ
RDS(ON)Max@VGS(1.8V)：
N/AmΩ
VGS(th)Max：
2.2V
QGTyp@VGS=4.5V(nC)：
19.3nC
QGTyp@VGS=10V(nC)：
45.7nC

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更多DMS3014SFG供应商更新时间2025-12-1 14:14:00

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