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DMS3012SFG

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:270.24 Kbytes 页数:8 Pages

DIODES

美台半导体

DMS3012SFG_15

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE POWERDI짰

文件:270.24 Kbytes 页数:8 Pages

DIODES

美台半导体

DMS3012SFG-13

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:270.24 Kbytes 页数:8 Pages

DIODES

美台半导体

DMS3012SFG-13

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE POWERDI짰

文件:270.24 Kbytes 页数:8 Pages

DIODES

美台半导体

DMS3012SFG-7

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE POWERDI짰

文件:270.24 Kbytes 页数:8 Pages

DIODES

美台半导体

DMS3012SFG-7

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:270.24 Kbytes 页数:8 Pages

DIODES

美台半导体

DMS3012SFG

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE

This new generation 30V N channel enhancement mode MOSFET \nDIOFET utilizes a unique patented process to monolithically\nintegrate a MOSFET and a Schottky in a single die.

Diodes

美台半导体

技术参数

  • AutomotiveCompliantPPAP:

    OnRequest*

  • Polarity:

    N+SKY

  • ESDDiodes:

    No

  • VDS:

    30V

  • VGS:

    20±V

  • IDS@TA=+25°C:

    12A

  • PD@TA=+25°C:

    2.2W

  • RDS(ON)Max@VGS(10V):

    10mΩ

  • RDS(ON)Max@VGS(4.5V):

    15mΩ

  • RDS(ON)Max@VGS(2.5V):

    N/AmΩ

  • RDS(ON)Max@VGS(1.8V):

    N/AmΩ

  • VGS(th)Max:

    2.5V

  • QGTyp@VGS=4.5V(nC):

    14.7nC

  • QGTyp@VGS=10V(nC):

    31.6nC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
DIODES
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DFN33
32550
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DIODES/美台
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PowerDI3333-8
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DIODES/美台
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DFN3.33.3B-8-EP
50000
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DIODES/美台
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PowerDI3333-8
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DIODES/美台
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DFN33
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DIODES/美台
25+
DFN33
16142
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POWERDI8
15000
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DIODES/美台
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PDI33338
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DIODES
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DFN
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DIODES/美台
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DFN-8
50000
全新原装正品现货,支持订货
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