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DMS2220LFDB	文件：138.47 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH INTEGRATED SBR짰 SUPER BARRIER RECTIFIER 文件：138.47 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMS2220LFDB-7	文件：138.47 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH INTEGRATED SBR짰 SUPER BARRIER RECTIFIER 文件：138.47 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMS2220LFW	文件：125.7 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH INTEGRATED SBR 文件：125.7 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMS2220LFW-7	文件：125.7 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH INTEGRATED SBR 文件：125.7 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMS2220LFDB	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH INTEGRATED SBR Low On-Resistance70mΩ @VGS = -4.5V85mΩ @VGS = -2.5V86mΩ (typ) @VGS = -1.8VLow Gate Threshold Voltage, -1.3V MaxFast Switching SpeedLow Input/Output LeakageIncorporates Low VF Super Barrier Rectifier (SBR®)Low Profile, 0.5mm Max HeightLead Free/RoHS Compliant\"Green\" DeviceQualified to AEC-Q101 Stan;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMS2220LFW	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH INTEGRATED SBR	Diodes 美台半导体	Diodes
DMS2220LFDB-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-DFN	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Config/ Polarity：
P + 20V SBR
ESD Diodes：
Yes Y/N
VDS：
20 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
3.5 A
PD @ TA = +25°C：
1.4 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
95 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
120 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1.3 V
CISS Typ @VDS = -10V：
632 pF
V(BR)R (V) Min @IR=400uA：
20
VF(V) Max @ IF=100mA：
N/A
VF(V) Max @ IF=1A：
0.52
VF(V) Max @ IF=2A：
N/A
IR(uA) Max @ VR=5V：
N/A
IR(uA) Max @ VR=30V：
N/A
Packages：
U-DFN2020-6 (Type B)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DMS222供应商更新时间2025-12-19 10:25:00

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