首页 >DMS2120>规格书列表

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

DMS2120LFWB

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH INTEGRATED SBR

文件:128 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DMS2120LFWB-7

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH INTEGRATED SBR

文件:128 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DMS2120LFWB

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH INTEGRATED SBR

Low On-Resistance95mΩ @VGS = -4.5V120mΩ @VGS = -2.5V150mΩ (typ) @VGS = -1.8VLow Gate Threshold Voltage, -1.3V MaxFast Switching SpeedLow Input/Output LeakageIncorporates Low VF Super Barrier Rectifier (SBR)Low Profile, 0.5mm Max HeightLead Free/RoHS Compliant\"Green\" DeviceQualified to AEC-Q101 Sta;

Diodes

美台半导体

DPH2120SG

.100 PIN HEADERS DUAL INSULATOR .100 [2.54] CENTERLINE

文件:135.12 Kbytes 页数:1 Pages

ADAM-TECH

亚当科技

DPH2120T

.100 PIN HEADERS DUAL INSULATOR .100 [2.54] CENTERLINE

文件:135.12 Kbytes 页数:1 Pages

ADAM-TECH

亚当科技

DPH2120U

.100 PIN HEADERS DUAL INSULATOR .100 [2.54] CENTERLINE

文件:135.12 Kbytes 页数:1 Pages

ADAM-TECH

亚当科技

详细参数

  • 型号:

    DMS2120

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 2.9A P-CHANNEL

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
DIODES/美台
25+
DFN
32360
DIODES/美台全新特价DMS2120LFWB-7即刻询购立享优惠#长期有货
询价
DIODES/美台
2019+
BGA
36000
原盒原包装 可BOM配套
询价
DIODES(美台)
24+
DFN-8(3x2)
9908
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
询价
DIODES/美台
1707+
NA
6000
询价
DIODES/美台
24+
DFN3020-8
15000
只做原装/假一赔十/安心咨询
询价
DIODES
1449
QFN
1885
全新、原装
询价
DIODES
25+
QFN
24492
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
询价
DIODES
2016+
DFN
2600
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
询价
DIODES
25+
2800
原装现货!可长期供货!
询价
DIDDES
23+
DFN8
8650
受权代理!全新原装现货特价热卖!
询价
更多DMS2120供应商 更新时间2025-12-19 18:33:00