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DMPH3010LPSQ	文件：449.65 Kbytes Page：7 Pages	175C P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：449.65 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMPH3010LPSQ-13	文件：449.65 Kbytes Page：7 Pages	175C P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：449.65 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMPH3010LPSQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	175°C P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101 and supported by a PPAP. Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production\nLow On-resistance\nFast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMU-3010-AE	文件：248.33 Kbytes Page：1 Pages	8-ch AI, 8-ch DI, 4-ch DO Ethernet I/O Module 文件：248.33 Kbytes 页数：1 Pages	ADVANTECH 研华科技	ADVANTECH
DRR3010	文件：217.47 Kbytes Page：2 Pages	Subminiature Rotary Coded Switches 文件：217.47 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
DRS3010	文件：51.93 Kbytes Page：1 Pages	Subminiature Code Switches 文件：51.93 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
P
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
15 A
PD @ TA = +25°C：
2.6 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
7.5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
10 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
66 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
139 nC
Packages：
PowerDI5060-8

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