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DMPH1006UPS	文件：512.75 Kbytes Page：7 Pages	12V 175C P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：512.75 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMPH1006UPS-13	文件：512.75 Kbytes Page：7 Pages	12V 175C P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：512.75 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMPH1006UPSQ	文件：509.53 Kbytes Page：7 Pages	12V 175C P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：509.53 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMPH1006UPSQ-13	文件：509.53 Kbytes Page：7 Pages	12V 175C P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：509.53 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMPH1006UPS	文件：300 bytes Page：1 Pages	12V 175°C P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application\nHigh Conversion Efficiency\nLow RDS(ON) – Minimizes On State Losses\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMPH1006UPSQ
Polarity：
P
ESD Diodes：
No
VDS：
12 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
3.2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
6 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
8 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
72 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
PowerDI5060-8

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