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DMP58D0LFB	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET has been designed to minimize the onstate resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
P
ESD Diodes：
No
VDS：
50 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.31 A
PD @ TA = +25°C：
0.4 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
6000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
8000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1.2 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
X1-DFN1006-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DMP58D0LFB供应商更新时间2025-10-4 13:26:00

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