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DMP56D0UV	文件：170.3 Kbytes Page：5 Pages	Low On-Resistance 文件：170.3 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP56D0UV_15	文件：170.3 Kbytes Page：5 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：170.3 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP56D0UV-13	文件：170.3 Kbytes Page：5 Pages	Low On-Resistance 文件：170.3 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP56D0UV-13	文件：170.3 Kbytes Page：5 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：170.3 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP56D0UV-7	文件：170.3 Kbytes Page：5 Pages	Low On-Resistance 文件：170.3 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP56D0UV-7	文件：170.3 Kbytes Page：5 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：170.3 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP56D0UV	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
P+P
ESD Diodes：
No
VDS：
50 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.16 A
PD @ TA = +25°C：
0.4 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
6000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
8000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1.2 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT563

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DMP56D0UV供应商更新时间2025-11-28 15:01:00

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