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DMP4047LFDE	文件：224.04 Kbytes Page：6 Pages	0.6mm profile ??ideal for low profile applications Description This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • 0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications • PCB Footprint of 4mm2 文件：224.04 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP4047LFDE-13	文件：224.04 Kbytes Page：6 Pages	0.6mm profile ??ideal for low profile applications Description This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • 0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications • PCB Footprint of 4mm2 文件：224.04 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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DMP4047LFDE_15	文件：246.83 Kbytes Page：6 Pages	40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：246.83 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP4047LFDE-13	文件：246.83 Kbytes Page：6 Pages	40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：246.83 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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DMP4047LFDE	文件：300 bytes Page：1 Pages	p-channel-31v-99v This new generation 40V P channel enhancement mode MOSFET has been designed to minimise RDS(on) and yet maintain superior switching performance and 0.6mm profile – ideal for low profile applications . This device is ideally suited to Handheld and lighten application	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
P
ESD Diodes：
No
VDS：
40 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
6.5 A
PD @ TA = +25°C：
0.7 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
33 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
50 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.2 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
23.2 nC
Packages：
U-DFN2020-6 (Type E)

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更多DMP4047LFDE供应商更新时间2025-12-24 9:03:00

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