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DMP4013LFGQ	文件：609.11 Kbytes Page：7 Pages	40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：609.11 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP4013LFGQ	文件：580.96 Kbytes Page：7 Pages	40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：580.96 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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DMP4013LFGQ-13	文件：609.11 Kbytes Page：7 Pages	40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：609.11 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP4013LFGQ-13	文件：580.96 Kbytes Page：7 Pages	40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：580.96 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP4013LFGQ-7	文件：580.96 Kbytes Page：7 Pages	40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：580.96 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP4013LFGQ-7	文件：609.11 Kbytes Page：7 Pages	40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：609.11 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP4013LFGQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AECQ101 and supported by a PPAP. Low RDS(ON) – Ensures On-State Losses are Minimized\nSmall Morm Mactor Thermally Efficient Package Enables Higher Density End Products\nOccupies just 33% of the Board Area Occupied by SO-8 Enabling Smaller End Product;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
P
ESD Diodes：
No
VDS：
40 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
10.3 A
PD @ TA = +25°C：
2.1 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
13 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
18 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
32.5 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
68.6 nC
Packages：
PowerDI3333-8

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更多DMP4013LFGQ供应商更新时间2026-1-29 13:26:00

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