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DMP4010SK3	文件：503.78 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features 100UnclampedInductiveSwitch(UIS)TestinProduction LowOn-Resistance FastSwitchingSpeed Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability Applications DC-DCConverters Po	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP4010SK3-13	文件：503.78 Kbytes Page：7 Pages	Marking：P4010S；Package：TO252；P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features 100UnclampedInductiveSwitch(UIS)TestinProduction LowOn-Resistance FastSwitchingSpeed Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability Applications DC-DCConverters Po	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP4010SK3Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET; 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production\nLow On-Resistance\nFast Switching Speed; This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	DiodesDiodes Incorporated 美台半导体	Diodes
DMP4010SK3Q	文件：493.49 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP4010SK3Q-13	文件：493.49 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
P
ESD Diodes：
No
VDS：
40 V
VGS：
25 ±V
IDS @ TA = +25°C：
15 A
PD @ TA = +25°C：
3.3 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
9.9 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
14 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
42.7 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
91 nC
Packages：
TO252 (DPAK)

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