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DMP3130L	文件：126.18 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：126.18 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3130L	文件：606.34 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：606.34 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3130L	文件：188.9 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：188.9 Kbytes 页数：2 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
DMP3130L_15	文件：309.81 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：309.81 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3130L_17	文件：606.34 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：606.34 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3130L-7	文件：126.18 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：126.18 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3130LQ	文件：494.01 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：494.01 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3130L	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes
DMP3130LQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AECQ101, supported by a PPAP. Low On-Resistance\nLow Gate Threshold Voltage\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nLow Input/Output Leakage;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

AutomotiveCompliantPPAP：
DMP3130LQ
Polarity：
P
ESDDiodes：
No
VDS：
30V
VGS：
12±V
IDS@TA=+25°C：
3.5A
PD@TA=+25°C：
1.4W
RDS(ON)Max@VGS(10V)：
77mΩ
RDS(ON)Max@VGS(4.5V)：
95mΩ
RDS(ON)Max@VGS(2.5V)：
150mΩ
RDS(ON)Max@VGS(1.8V)：
N/AmΩ
VGS(th)Max：
1.3V
QGTyp@VGS=4.5V(nC)：
5.9nC
QGTyp@VGS=10V(nC)：
12nC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DMP3130L供应商更新时间2025-10-13 16:30:00

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