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DMP3065LVT	文件：388.96 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：388.96 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3065LVT_15	文件：388.95 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：388.95 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3065LVT-13	文件：388.95 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：388.95 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3065LVT-13	文件：388.96 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：388.96 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3065LVT-7	文件：388.96 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：388.96 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3065LVT-7	文件：388.95 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：388.95 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3065LVT	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
P
ESD Diodes：
Yes
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
4.9 A
PD @ TA = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
42 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
65 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
6.3 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
12.3 nC
Packages：
TSOT26

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