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DMP3018SFV	文件：464.43 Kbytes Page：7 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：464.43 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3018SFV-13	文件：464.43 Kbytes Page：7 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：464.43 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3018SFV-7	文件：464.43 Kbytes Page：7 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：464.43 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3018SFV	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. •Low RDS(ON) – ensures on-state losses are minimized\n•Occupies just 33% of the board area occupied by SO-8 enabling smaller end product\n•ESD Protected Gate;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMP3018SFVQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. •100% Unclamped Inductive Switching (Test in Production) – Ensures More Reliable and Robust End Application\n•Low RDS(ON) – ensures on-state losses are minimized\n•Small form factor thermally efficient package enables higher density end products\n•Occupies just 33% of the board area occupied;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMP3018SFVQ
Polarity：
P
ESD Diodes：
Yes
VDS：
30 V
VGS：
25 ±V
IDS @ TA = +25°C：
11 A
PD @ TA = +25°C：
1.9 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
12 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
21 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
51 nC
Packages：
PowerDI3333-8 (Type UX)

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