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DMP3007LK3	文件：448.14 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Backlighting Power Management Functions DC-DC Converters Features Low On-R 文件：448.14 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3007LK3	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. •Low On-Resistance\n•Fast Switching Speed\n;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMP3007LK3-13	文件：448.14 Kbytes Page：7 Pages	丝印：P3007L；Package：TO252；P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Backlighting Power Management Functions DC-DC Converters Features Low On-R 文件：448.14 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3007LK3Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	金属氧化物半导体场效应晶体管 This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101 and is supported by a PPAP.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
P
ESD Diodes：
Yes
VDS：
30 V
VGS：
25 ±V
IDS @ TA = +25°C：
18.5 A
PD @ TA = +25°C：
3 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
7 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
10 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.8 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
31.2 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
64.2 nC
Packages：
TO252 (DPAK)

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