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DMP26M7UFG	文件：431.91 Kbytes Page：6 Pages	ESD HBM Protected up to 1KV 文件：431.91 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP26M7UFG_15	文件：437.56 Kbytes Page：6 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI짰 文件：437.56 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP26M7UFG-13	文件：431.91 Kbytes Page：6 Pages	ESD HBM Protected up to 1KV 文件：431.91 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP26M7UFG-13	文件：437.56 Kbytes Page：6 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI짰 文件：437.56 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP26M7UFG-7	文件：437.56 Kbytes Page：6 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI짰 文件：437.56 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP26M7UFG-7	文件：431.91 Kbytes Page：6 Pages	ESD HBM Protected up to 1KV 文件：431.91 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP26M7UFG	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance\n\n\t(RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it\n\n\tideal for high efficiency power management applications. Low RDS(ON) – ensures on state losses are minimized\n\t\n\t\tSmall form factor thermally efficient package enables higher density end products\n\t\n\t\tOccupies just 33% of the board area occupied by SO-8 enabling smaller end product\n\t\n\t\tESD HBM Protected up to 1KV\n\t\n\t\tTotally Lead-Fre;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
P
ESD Diodes：
No
VDS：
20 V
VGS：
10 ±V
IDS @ TA = +25°C：
18 A
PD @ TA = +25°C：
2.3 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
6.7 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
9 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
75 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
156 nC
Packages：
PowerDI3333-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	DMP26M7UFG	DIODES/美台	20+	SMD	88800	DIODES原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
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深圳市易讯博科技有限公司	DMP26M7UFG-7	DIODES	22+	NA	12080	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价

更多DMP26M7UFG供应商更新时间2025-10-13 17:22:00

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