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DMP22D4UDA	文件：412.8 Kbytes Page：7 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：412.8 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP22D4UDA-7B	文件：412.8 Kbytes Page：7 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：412.8 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP22D4UDA	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low On-Resistance\nVery Low Gate Threshold Voltage, -1.0V max\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nUltra-Small Surface Mount Package 0.8mm x 0.6mm;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMP22D4UFA	文件：159.17 Kbytes Page：6 Pages	ESD Protected Gate 文件：159.17 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP22D4UFO	文件：494.86 Kbytes Page：7 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：494.86 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
KUWTN-22D4	文件：157.46 Kbytes Page：6 Pages	Plug-in Signal Conditioners K-UNIT 文件：157.46 Kbytes 页数：6 Pages	MSYSTEM 爱模	MSYSTEM

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
P+P
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.33 A
PD @ TA = +25°C：
0.31 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
1900 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
2400 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
3400 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.4 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
X2-DFN0806-6

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