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DMP2240UW	文件：165.49 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • P-Channel MOSFET • Low On-Resistance • 150 mΩ @ VGS = -4.5V • 200 mΩ @ VGS = -2.5V • 240 mΩ @ VGS = -1.8V • Very Low Gate Threshold Voltage VGS(th) ≤ 1V • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Not 文件：165.49 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2240UW-7	文件：165.49 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • P-Channel MOSFET • Low On-Resistance • 150 mΩ @ VGS = -4.5V • 200 mΩ @ VGS = -2.5V • 240 mΩ @ VGS = -1.8V • Very Low Gate Threshold Voltage VGS(th) ≤ 1V • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Not 文件：165.49 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2240UW-7	文件：1.02217 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch • DC/DC Converters 文件：1.02217 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
DMP2240UWQ	文件：488.37 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description and Applications This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. • Backlighting • Power Management Functions • DC-DC Converters Features • Lo 文件：488.37 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2240UWQ-7	文件：488.37 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description and Applications This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. • Backlighting • Power Management Functions • DC-DC Converters Features • Lo 文件：488.37 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2240UW-TP	文件：1.72689 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET Application + Load/Power Switching + Interfacing Switching. * Logic Level Shift 文件：1.72689 Mbytes 页数：4 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
DMP2240UWQ_15	文件：488.37 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：488.37 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2240UW	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes
DMP2240UWQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance\n\n\t(RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it\n\n\tideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMP2240UWQ
Polarity：
P
ESD Diodes：
No
VDS：
20 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
1.5 A
PD @ TA = +25°C：
0.25 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
150 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
200 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
240 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT323

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