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DMP2240UDM	文件：168.14 Kbytes Page：5 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Dual P-Channel MOSFET • Low On-Resistance • 150 mΩ @ VGS = -4.5V • 200 mΩ @ VGS = -2.5V • 240 mΩ @ VGS = -1.8V • Very Low Gate Threshold Voltage VGS(th) ≤ 1V • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Lead Free By Design/RoHS Compliant 文件：168.14 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2240UDM-7	文件：168.14 Kbytes Page：5 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Dual P-Channel MOSFET • Low On-Resistance • 150 mΩ @ VGS = -4.5V • 200 mΩ @ VGS = -2.5V • 240 mΩ @ VGS = -1.8V • Very Low Gate Threshold Voltage VGS(th) ≤ 1V • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Lead Free By Design/RoHS Compliant 文件：168.14 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2240UDM_15	文件：168.14 Kbytes Page：5 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：168.14 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2240UDM	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
P+P
ESD Diodes：
No
VDS：
20 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
2 A
PD @ TA = +25°C：
0.6 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
150 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
200 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
240 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT26 (SC74R)

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