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DMP21D6UFD	文件：398.1 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：398.1 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP21D6UFD-7	文件：398.1 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：398.1 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP21D6UFD	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. •Low On-Resistance\n•Very Low Gate Threshold Voltage, -1.0V Max\n•Low Input Capacitance\n•Fast Switching Speed\n•ESD Protected Gate\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant\n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device;	Diodes 美台半导体	Diodes
IXF-21D6AF	文件：43.46 Kbytes Page：1 Pages	Crystal Filter 3 Lead Metal Package 文件：43.46 Kbytes 页数：1 Pages	ILSI	ILSI
IXF-21D6AT	文件：43.46 Kbytes Page：1 Pages	Crystal Filter 3 Lead Metal Package 文件：43.46 Kbytes 页数：1 Pages	ILSI	ILSI
IXF-21D6BF	文件：43.46 Kbytes Page：1 Pages	Crystal Filter 3 Lead Metal Package 文件：43.46 Kbytes 页数：1 Pages	ILSI	ILSI

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
P
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.6 A
PD @ TA = +25°C：
0.4 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
1000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
1500 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
2000 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.5 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
X1-DFN1212-3

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更多DMP21D6UFD供应商更新时间2025-10-11 15:01:00

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