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DMP2110UVTQ	文件：476.88 Kbytes Page：7 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) The DMP2110UVTQ is suitable for automotive applications requiring specific change control; this part is AEC-Q 文件：476.88 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2110UVTQ-13	文件：476.88 Kbytes Page：7 Pages	丝印：AR7；Package：TSOT26；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) The DMP2110UVTQ is suitable for automotive applications requiring specific change control; this part is AEC-Q 文件：476.88 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2110UVTQ-7	文件：476.88 Kbytes Page：7 Pages	丝印：AR7；Package：TSOT26；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) The DMP2110UVTQ is suitable for automotive applications requiring specific change control; this part is AEC-Q 文件：476.88 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2110UVTQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. •Low On-Resistance\n•Low Gate Threshold Voltage\n•Low Input Capacitance\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)\n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)\n•The DMP2110UVTQ is suitable for automotive applications requiring specific change control; this part is AEC-Q101qual;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
P+P
ESD Diodes：
No Y/N
VDS：
20 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
3.2 A
PD @ TA = +25°C：
1.1 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
150 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
200 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
240 mΩ
VGS(th) Min. (V)：
0.45
VGS (th) Max：
1 V
CISS Typ：
440 pF
CISS Condition [@VDS]：
10 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
6
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A
Packages：
TSOT26

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