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DMP2035UVT-7	文件：217.03 Kbytes Page：6 Pages	-20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：217.03 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2035UVTQ	文件：484.9 Kbytes Page：6 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：484.9 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2035UVTQ-13	文件：484.9 Kbytes Page：6 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：484.9 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2035UVTQ-7	文件：484.9 Kbytes Page：6 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：484.9 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2035UVT	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation 20V P-Channel enhancement mode MOSFET has been designed to minimise RDS(on) and yet maintain superior switching performance. This device is ideally suited to Handheld application	Diodes 美台半导体	Diodes
DMP2035UVTQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. • Low Input Capacitance• Low On-Resistance• Fast Switching Speed• ESD protected Up To 3KV• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability• PPAP Capable (Note 4);	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMP2035UVTQ
Polarity：
P
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
6 A
PD @ TA = +25°C：
2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
35 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
45 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
62 mΩ
VGS (th) Max：
1.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
15.4 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
TSOT26

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深圳市得捷芯城科技有限公司	DMP2035UVT	N/A	24+	N/A	17048	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价
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