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DMP2021UFDF	文件：295.62 Kbytes Page：7 Pages	Low Gate Threshold Voltage 文件：295.62 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2021UFDF_15	文件：295.62 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：295.62 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2021UFDF-13	文件：295.62 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：295.62 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2021UFDF-13	文件：295.62 Kbytes Page：7 Pages	Low Gate Threshold Voltage 文件：295.62 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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DMP2021UFDF-7	文件：295.62 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：295.62 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2021UFDF	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
P
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
9 A
PD @ TA = +25°C：
2.02 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
16 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
22 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
40 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
34 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
U-DFN2020-6 (Type F)

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更多DMP2021UFDF供应商更新时间2026-1-21 14:00:00

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