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DMP2018LFK	文件：174.39 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：174.39 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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DMP2018LFK-13	文件：174.39 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：174.39 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2018LFK-7	文件：174.39 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：174.39 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2018LFK-7	文件：174.39 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：174.39 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2018LFK	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation 20V P channel enhancement mode MOSFET has been designed to minimise RDS(on) and yet maintain superior switching performance. This device is ideally suited to Handheld application	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
P
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
9.2 A
PD @ TA = +25°C：
2.1 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
16 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
20 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1.2 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
53 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
113 nC
Packages：
U-DFN2523-6

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更多DMP2018LFK供应商更新时间2025-12-10 15:01:00

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