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DMP2006UFG

Qualified to AEC-Q101 standards for High Reliability

文件:434.34 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMP2006UFG

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:396.75 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DMP2006UFG_15

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI짰

文件:434.34 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMP2006UFG_17

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:396.75 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DMP2006UFG-13

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI짰

文件:434.34 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMP2006UFG-13

Qualified to AEC-Q101 standards for High Reliability

文件:434.34 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMP2006UFG-13

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:396.75 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DMP2006UFG-7

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI짰

文件:434.34 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMP2006UFG-7

Qualified to AEC-Q101 standards for High Reliability

文件:434.34 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMP2006UFG-7

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    DMP2006UFGQ

  • Polarity:

    P

  • ESD Diodes:

    No

  • VDS:

    20 V

  • VGS:

    10 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    17.5 A

  • PD @ TA = +25°C:

    2.3 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    5.5 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    7.5 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    12 mΩ

  • VGS (th) Max:

    1 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    64 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    140 nC

  • Packages:

    PowerDI3333-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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