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DMP2006UFG	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET; This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	DiodesDiodes Incorporated 美台半导体	Diodes
DMP2006UFG	文件：396.75 Kbytes Page：7 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP2006UFG	文件：434.34 Kbytes Page：6 Pages	Qualified to AEC-Q101 standards for High Reliability	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP2006UFG_15	文件：434.34 Kbytes Page：6 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI짰	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP2006UFG_17	文件：396.75 Kbytes Page：7 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP2006UFG-13	文件：434.34 Kbytes Page：6 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI짰	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP2006UFG-13	文件：434.34 Kbytes Page：6 Pages	Qualified to AEC-Q101 standards for High Reliability	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP2006UFG-13	文件：396.75 Kbytes Page：7 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP2006UFG-7	文件：434.34 Kbytes Page：6 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI짰	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP2006UFG-7	文件：434.34 Kbytes Page：6 Pages	Qualified to AEC-Q101 standards for High Reliability	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMP2006UFGQ
Polarity：
P
ESD Diodes：
No
VDS：
20 V
VGS：
10 ±V
IDS @ TA = +25°C：
17.5 A
PD @ TA = +25°C：
2.3 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
5.5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
7.5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
12 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
64 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
140 nC
Packages：
PowerDI3333-8

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