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DMP2004DMK	文件：224.35 Kbytes Page：4 Pages	Marking：PAB**；Package：SOT-26；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP2004DMK_15	文件：166.35 Kbytes Page：5 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP2004DMK_16	文件：480.85 Kbytes Page：6 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP2004DMK-7	文件：224.35 Kbytes Page：4 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP2004DWK	文件：153.87 Kbytes Page：5 Pages	DUALP-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. Features •DualP-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltageVGS(TH)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP2004K	文件：147.86 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisnewgenerationMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltageVGS(TH)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP2004K	文件：405.01 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP2004TK	文件：142.99 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP2004VK	文件：147.93 Kbytes Page：5 Pages	DUALP-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •DualP-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltageVG	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP2004WK	文件：223.98 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltageVGS(th)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

详细参数

型号：
DMP2004DMK
功能描述：
MOSFET 500mW -20Vdss
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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