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DMP2003UPS	文件：603.04 Kbytes Page：7 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：603.04 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2003UPS-13	文件：603.04 Kbytes Page：7 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：603.04 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2003UPS	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize RDS(ON) and yet maintain superior switching performance. This device is ideal for use in notebook battery power management and load switch. •Thermally Efficient Package-Cooler Running Applications\n•High Conversion Efficiency\n•Low RDS(ON) – Minimizes On State Losses\n•<1.1mm Package Profile – Ideal for Thin Applications\n•Lead-Free Finish; RoHS Compliant\n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device;	Diodes 美台半导体	Diodes
DS2003	文件：194.56 Kbytes Page：6 Pages	High Current/Voltage Darlington Drivers 文件：194.56 Kbytes 页数：6 Pages	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
DS2003	文件：160.49 Kbytes Page：8 Pages	High Current/Voltage Darlington Drivers 文件：160.49 Kbytes 页数：8 Pages	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
DS2003	文件：317.34 Kbytes Page：5 Pages	HIGH CURRENT / VOLTAGE DARLINGTON DRIVERS 文件：317.34 Kbytes 页数：5 Pages	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
P
ESD Diodes：
No
VDS：
20 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
2.7 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
2.2 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
2.55 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
4 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1.4 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
79 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
177 nC
Packages：
PowerDI5060-8

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