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DMP1100UCB4	文件：392.93 Kbytes Page：7 Pages	Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability 文件：392.93 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP1100UCB4	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. It is a high performance MOSFET in an ultra-small 0.8mmx0.8mm package. Built-In G-S Protection Diode Against ESD 2kV HBM.\nUltra-Small 0.8mm x 0.8mm Package\nTotally Lead-Free & Fully RoHS Compliant\nHalogen and Antimony Free. “Green” Device\nQualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMP1100UCB4-7	文件：392.93 Kbytes Page：7 Pages	Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability 文件：392.93 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2022LSSQ-13	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIODES SOP-8	DIODES 美台半导体上传：深圳市宏誉半导体有限公司	DIODES
DMP2035U-7	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIODES SOT23-3	DIODES 美台半导体上传：深圳市凌旭科技有限公司	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
P
ESD Diodes：
Yes
VDS：
12 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
3.2 A
PD @ TA = +25°C：
1.1 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
83 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
96 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
0.8 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
9 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
X2-WLB0808-4

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更多DMP1100UCB4供应商更新时间2025-10-9 15:01:00

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