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DMP1081UCB4	文件：414.03 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：414.03 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP1081UCB4	文件：375.16 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：375.16 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP1081UCB4	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance,making it ideal for high efficiency power management applications. Trench-MOS Technology with the Lowest On-Resistance:RDS(ON) = 0.065Ω to Minimize On-State Losses\nQG = 2.5nC for Ultra-Fast Switching\n\nVGS(TH) = -0.5V Typ. for a Low Turn-On Potential\nCSP with Footprint 1.0mm × 1.0mm\nHeight = 0.62mm for Low Profile\nESD = 3kV HBM Protection of Gate\nTotally Lead;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMP1081UCB4_17	文件：375.16 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：375.16 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP1081UCB4-7	文件：375.16 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：375.16 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
P
ESD Diodes：
Yes
VDS：
12 V
VGS：
6 ±V
IDS @ TA = +25°C：
3.3 A
PD @ TA = +25°C：
1.59 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
80 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
100 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
0.65 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
213 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
U-WLB1010-4

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