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DMP1055UFDB	文件：278.97 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance 文件：278.97 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP1055UFDB_15	文件：278.97 Kbytes Page：6 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：278.97 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP1055UFDB-13	文件：278.97 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance 文件：278.97 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP1055UFDB-13	文件：278.97 Kbytes Page：6 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：278.97 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP1055UFDB-7	文件：278.97 Kbytes Page：6 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：278.97 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP1055UFDB-7	文件：278.97 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance 文件：278.97 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP1055UFDB	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
P+P
ESD Diodes：
Yes
VDS：
12 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
3.9 A
PD @ TA = +25°C：
1.4 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
59 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
81 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
115 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
13 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
U-DFN2020-6 (Type B)

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更多DMP1055UFDB供应商更新时间2026-1-28 14:01:00

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